LPDDR5, UFS 3.0 và SD Express là gì?

Bộ nhớ thế hệ tiếp theo sẽ được trang bị LPDDR5, UFS 3.0 và SD Express, bài này giúp bạn tìm hiểu chi tiết về sức mạnh và tác dụng của nó đối với trải nghiệm người dùng trên các thiết bị.

Tìm hiểu công nghệ LPDDR5, UFS 3.0 và SD Express trên bộ nhớ thế hệ tiếp theo

RAM LPDDR5

RAM là một phần không thể thiếu trên mọi máy tính. Nó còn đặc biệt quan trọng đối với những chiếc smartphone ngày nay khi mà CPU, GPU và các công cụ AI đều đặt trên cùng 1 chip và xài chung khối bộ nhớ. Việc này thường tạo ra nút thắt cổ chai khi chơi Game, dựng phim và các thao tác thường xuyên đọc ghi dữ liệu vào bộ nhớ.

Tìm hiểu công nghệ LPDDR5, UFS 3.0 và SD Express trên bộ nhớ thế hệ tiếp theo

Vẫn chưa có thông số chi tiết của LPDDR5, nhưng hứa hẹn sẽ tăng băng thông và tối ưu điện năng so với LPDDR4. Băng thông LPDDR5 dự kiến đạt được hơn 6400 Mbps, cao hơn gấp đôi so với LPDDR4 với 3200 Mbps.

Theo công ty thiết kế IC Synopsys, LPDDR5 sẽ ra mắt hệ thống xung nhịp vi phân kép sử dụng xung WCK, tương tự như trên bộ nhớ đồ hoạ GDDR5. Xung nhịp vi phân sẽ làm tăng tần số mà không tăng điện năng tiêu thụ, và việc sử dụng xung kép (WCK_t và WCK_c) cho phép 2 điểm vận hành khác nhau đạt gấp đôi hoặc bốn lần lệnh/xung nhịp. LPDDR5 cũng sẽ hỗ trợ tính năng liên kết ECC cho việc đọc và ghi, cho phép khôi phục dữ liệu từ các lỗi truyền tải hay mất dữ liệu.

Bên cạnh đó, LPDDR5 đặc biệt chú trọng vào tiêu thụ điện năng – vấn đề quan trọng cho các thiết bị di động – với điện áp thấp hơn. Chế độ Ngủ Sâu (Deep Sleep) cũng được tích hợp để giảm điện năng thấp hơn 40% so với bình thường. Sao chép dữ liệu tiết kiệm năng lượng bằng cách sử dụng lại các dữ liệu trong việc Write, Mask Write và Read, vì vậy dù hiệu năng cao hơn nhưng vẫn đảm bảo được khả năng tiết kiệm điện tối đa.

Tìm hiểu công nghệ LPDDR5, UFS 3.0 và SD Express trên bộ nhớ thế hệ tiếp theo

Hiện tại vẫn chưa có nhà sản xuất nào công bố chip nhớ LPDDR5 đầu tiên. Tuy nhiên Samsung đã có những kế hoạch thương mại hóa sản phẩm vào cuối năm 2017 và nhiều tin đồn cho rằng hãng sẽ bắt đầu sản xuất vào nửa cuối năm 2018.

UFS 3.0 ROM

Việc tăng tốc cho ROM cũng quan trọng không kém tăng tốc RAM, đặc biệt nếu bạn muốn xem và lưu trữ video có độ phân giải cao cho nhu cầu AR và VR. UFS sớm thay thế eMMC trong tiêu chuẩn bộ nhớ của smartphone. JDEC đã công bố thông tin chính thức về UFS 3.0 cho ROM thế hệ tiếp theo, dưới đây là các cải tiến về hiệu suất và sức mạnh nhắm vào việc những thiết bị di động cao cấp trong tương lai.

Tìm hiểu công nghệ LPDDR5, UFS 3.0 và SD Express trên bộ nhớ thế hệ tiếp theo

Đầu tiên là về tốc độ đã tăng lên gấp đôi so với UFS 2.0. Mỗi luồng UFS 3.0 có thể xử lý lên đến 11,6 Gbps dữ liệu, trong khi ở UFS 2.0 là 5,8 Gbps, cho phép tốc độ truyền tải chung lên đến 23,2 Gbps. Trong thực tế tốc độ có thể thấp hơn một chút so với lý thuyết. Tất cả các thiết bị tương thích với UFS 3.0 đều được yêu cầu hỗ trợ HS-G4 (11,6 Gbps) và HS-G3 (5,8 Gbps), vì vậy chắc chắn sẽ nhanh hơn mọi phiên bản của UFS 2.0.

  Tăng tốc MacOS sau khi thay SSD và nâng cấp RAM

Điện năng tiêu thụ cũng có những thay đổi. Hiện tại có ba loại nguồn đó là 1,2V, 1,8V và 2,5V hoặc 3,3V. Việc giới thiệu loại 2,5V trên dòng VCC sẽ giúp các thiết kế 3D NAND có mật độ cao hơn và mức tiêu thụ điện năng thấp hơn. Nói cách khác UFS 3.0 được thiết kế để hỗ trợ các bộ nhớ lưu trữ lớn hơn đang được các nhà sản xuất nhắm đến.

Tìm hiểu công nghệ LPDDR5, UFS 3.0 và SD Express trên bộ nhớ thế hệ tiếp theo

Cũng giống như LPDDR5, Samsung có thể sẽ là hãng tiên phong cung cấp ROM UFS 3.0. Việc sản xuất cho các ứng dụng tự hành đã bắt đầu, vì vậy sẽ sớm có những sản phẩm cho smartphone trong tương lai. Công nghệ này có khả năng sẽ trở thành tâm điểm trong năm 2019.

Thẻ nhớ SD Express

Thẻ nhớ là phần không thể thiếu cho việc di chuyển và lưu trữ dữ liệu đối với nhiều người dùng smartphone. Tiêu chuẩn SD Express được giới thiệu sẽ thay thế thẻ microSD với tốc độ nhanh nhất và dùng như một ổ SSD di động.

SD Express và sự kết hợp của PCI Express và giao tiếp NVMe trong chiếc áo thẻ nhớ SD truyền thống, đây là hai tiêu chuẩn kết nối thường thấy trên PC. Những giao thức này sẽ hỗ trợ trên dòng thứ 2 của các chân sử dụng bởi thẻ nhớ tốc độ cao microSD UHS-II ngày nay.

Tìm hiểu công nghệ LPDDR5, UFS 3.0 và SD Express trên bộ nhớ thế hệ tiếp theo

Việc SD Express hỗ trợ PCI-E 3.0 đồng nghĩa với tốc độ cao nhất có thể lên đến 985MB/giây, nhanh gấp 3 lần so với 312MB/giây ở UHS-II và cao hơn cả UHS-III với 624 MB/giây. Bên cạnh đó, NVMe v1.3 là tiêu chuẩn sử dụng trên ổ cứng SSD, có nghĩa là các thẻ SD sắp tới có thể sử dụng như một ổ SSD tháo rời để thao tác với lượng lớn dữ liệu, phần mềm và thậm chí hỗ trợ tốt cho cài hệ điều hành. Ngoài ra, thẻ SD Express cung cấp dung lượng lưu trữ tối đa lên đến 128TB.

Thẻ SD Express tương thích với các cổng và thẻ microSD cũ, nhưng sẽ bị giới hạn ở tốc độ thấp hơn. Ví dụ chỉ đạt được mức 104 MB/giây khi sử dụng với một thiết bị UHS-I. Ngoài ra còn vấn đề lớn về khả năng tương thích, sử dụng UHS-II hoặc UHS-III trên máy chủ lưu trữ SD Express sẽ bị đưa về tốc độ của UHS-I vì các chân nối bị thay đổi.

Tóm lại, những cải tiến về bộ nhớ đang được hướng đến với tiêu chí cung cấp cho bộ nhớ RAM, ROM nhanh hơn và bộ nhớ lưu trữ nhiều hơn. Chắc chắn khi ra mắt những công nghệ mới này sẽ có giá rất cao và nhắm vào phân khúc cao cấp, và dần dần vừa túi tiền trong các năm tiếp theo.

Theo AndroidAuthority