Qualcomm đã ra mắt chip Snapdragon 835, bản nâng cấp của Snapdragon 820 đồng thời sẽ tích hợp chuẩn sạc nhanh Quick Charge 4.0.
Các chip mới sẽ được trang bị trên các flagship đầu năm 2017, đồng thời có khả năng sạc nhanh chuẩn Quick Charge 4.0. Snapdragon 835 được sản xuất dựa trên tiến trình FinFET 10 nm của Samsung. Đây là dòng chip đầu bảng của Qualcomm để thay thế cho thế hệ Snapdragon 820, 821.
Qualcomm không đề cập chi tiết về Snapdragon 835, nhưng hãng nói nhờ tiến trình 10nm mới nên nó được sẽ cho hiệu suất tốt hơn và cải thiện thời gian dùng pin. So với tiến trình FinFet 14nm, công nghệ 10nm của Samsung tăng 30% hiệu suất và giảm tiêu thụ năng lượng lên đến 40% (tức là chỉ dùng 60% năng lượng so với bản trước).
Sử dụng 10nm FinFET, bộ xử lý Snapdragon 835 sẽ thu gọn kích thước đáng kể, tạo không gian cho các OEM trang bị pin lớn hơn, thiết kế mỏng hơn. Với những cải tiến này kết hợp với một thiết kế chip theo công nghệ mới, hi vọng các flagship năm 2017 sẽ cải thiện đáng kể về tuổi thọ pin.
Công nghệ sạc nhanh Qualcomm Charge 4.0 sẽ cho thời gian sạc rút ngắn đáng kể, tương thích cao với các thiết bị khác nhau, cũng như có các tính năng an toàn hơn. Theo Qualcomm cho biết chỉ cần 5 phút sạc pin bạn có thể dùng điện thoại trong 5 giờ, có lẽ tương tự như công nghê Sony trang bị lên các thiết bị Walkman – sạc 3 phút nghe nhạc 90 phút.
Hình dưới là bảng so sánh thời lượng giữa đời Quick Charge:
Quick Charge 4.0 cũng hỗ trợ chuẩn USB-C, đồng thời có khả năng đo chính xác điện áp, dòng điện và nhiệt độ để bảo vệ thiết bị và bộ sạc khỏi hư hỏng. Nó cũng được thiết kế để bảo vệ thiết bị khi bị quá dòng do do các sự cố điện gây ra.
Trong tương lai, smartphone tiếp theo của bạn sẽ sạc nhanh hơn, dùng chuẩn sạc USB-C, và ít có khả năng cháy nổ do bị lỗi sạc hoặc cáp.